Datasheet IRF6709S2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 25 В, DIRECTFETS1 — Даташит

Купить IRF6709S2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 60 до 352 ₽ 12 предложений от 10 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	IRF6709S2TR1PBF Infineon	60 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRF6709S2TR1PBF Infineon	121 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRF6709S2TR1PBF Infineon	352 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6709S2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 25 В, DIRECTFETS1

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
APPROVED
PD - TBD
IRF6709S2TRPbF IRF6709S2TR1PbF
l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET Application Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 5.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: DirectFET
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Current Id Max: 12 А
• Тип корпуса: S1
• Pulse Current Idm: 100 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть