Datasheet IRF6710S2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 25 В — Даташит

Купить IRF6710S2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 874 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 25V 12A 6Pin Direct-FET S1 T/R
727GS Весь мир	IRF6710S2TR1PBF Infineon	291 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF6710S2TR1PBF, Nкан 25В 12А DirectFET S1	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6710S2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6710S2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 25 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IRF6710S2TRPbF IRF6710S2TR1PbF
l l l l l l l l l
PD - 97124A
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET Application Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Current Id Max: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 4.5 МОм
• Pulse Current Idm: 100 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.4 В
• Voltage Vgs th Min: 1.4 В
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Корпус транзистора: DirectFET
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Тип корпуса: S1
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)