Datasheet IRF6713STR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETSQ — Даташит

Купить IRF6713STR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 133 до 268 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 25V 22A 6Pin Direct-FET SQ T/R
ЧипСити Россия	IRF6713STR1PBF International Rectifier	268 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRF6713STR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6713STR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6713STR1PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETSQ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IRF6713SPbF IRF6713STRPbF
l l l l l l l l l l
PD - 96129A
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for both Sync.FET and some Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 22 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 2.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SQ
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Current Id Max: 22 А
• Тип корпуса: SQ
• Power Dissipation Pd: 2.2 Вт
• Pulse Current Idm: 170 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.4 В
• Voltage Vgs th Min: 1.4 В

RoHS: есть