Datasheet IRF6718L2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 61 А, DIRECTFET L2 — Даташит

International Rectifier IRF6718L2TR1PBF

Наименование модели: IRF6718L2TR1PBF

Купить IRF6718L2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 209 до 533 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 25V 61A 13Pin Direct-FET L6 T/R
ЧипСити Россия	IRF6718L2TR1PBF International Rectifier	209 ₽
AiPCBA Весь мир	IRF6718L2TR1PBF International Rectifier	220 ₽
Akcel Весь мир	IRF6718L2TR1PBF Infineon	по запросу
Utmel Весь мир	IRF6718L2TR1PBF Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 61 А, DIRECTFET L2

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97395D
IRF6718L2TRPbF IRF6718L2TR1PbF
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide l Dual Sided Cooling Compatible l Ultra Low Package Inductance l Very Low R DS(ON) for Reduced Conduction Losses l Optimized for Active O-Ring / Efuse Applications l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 61 А
Current Id Max: 61 А
Drain Source Voltage Vds: 25 В
On Resistance Rds(on): 500µ Ом
Pulse Current Idm: 490 А
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
Voltage Vds Typ: 25 В
Voltage Vgs Max: 1.9 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: 1.35 В
Корпус транзистора: DirectFET
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 4.3 Вт
Способ монтажа: SMD
Тип корпуса: L6
Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: да
SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)