Datasheet IRF6721STR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETSQ — Даташит

Купить IRF6721STR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 220 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 14A
ChipWorker Весь мир	IRF6721STR1PBF Infineon	63 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF6721STR1PBF, Транзистор, DirectFET, N-канал 30В 14А [SQ]	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6721STR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IRF6721STR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETSQ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96133
IRF6721SPbF IRF6721STRPbF
l l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 5.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SQ
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Current Id Max: 14 А
• Тип корпуса: SQ
• Power Dissipation Pd: 2.2 Вт
• Pulse Current Idm: 110 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.4 В
• Voltage Vgs th Min: 1.4 В

RoHS: есть