Datasheet IRF6724MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETMX — Даташит

Купить IRF6724MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 83 до 256 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Compliant Surface Mount 5.05 mm 508 µm 5.45 mm 16 ns 19 ns No SVHC
ChipWorker Весь мир	IRF6724MTR1PBF International Rectifier	83 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF6724MTR1PBF International Rectifier	256 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF6724MTR1PBF,Nкан 30В 27А/150А DirectFET MX	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6724MTR1PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, DIRECTFETMX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97131
IRF6724MPbF IRF6724MTRPbF
l l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (<0.7 mm) 30V max ±20V max 1.9m@ 10V 2.7m@ 4.5V Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Optimized for High Frequency Switching 33nC 10nC 3.9nC 34nC 20nC 1.8V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Sync.

FET socket of Sync. Buck Converter Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested MX
DirectFET ISOMETRIC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 27 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: MX
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Current Id Max: 27 А
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 212 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть