Datasheet IRF6727MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX — Даташит

Купить IRF6727MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 141 до 714 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 32A
AiPCBA Весь мир	IRF6727MTR1PBF International Rectifier	200 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRF6727MTR1PBF Infineon	376 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	IRF6727MTR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6727MTR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96122
IRF6727MPbF IRF6727MTRPbF
l l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for both Sync.FET and some Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.22 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MX
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 32 А
• Тип корпуса: MX
• Pulse Current Idm: 260 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть