Datasheet IRF6727MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX — Даташит
Наименование модели: IRF6727MTR1PBF
Купить IRF6727MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 4 699 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков транзисторы полевые импортные | |||
IRF6727MTR1PBF,Nкан 30В 32А/180А DirectFET MX Infineon | 64 ₽ | ||
IRF6727MTR1PBF Infineon | 169 ₽ | ||
IRF6727MTR1PBF Infineon | от 607 ₽ | ||
IRF6727MTR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MX
Краткое содержание документа:
PD - 96122
IRF6727MPbF IRF6727MTRPbF
l l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for both Sync.FET and some Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 32 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1.22 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MX
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 32 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 260 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть