Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRF6785MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MZ — Даташит

International Rectifier IRF6785MTR1PBF

Наименование модели: IRF6785MTR1PBF

9 предложений от 9 поставщиков
транзисторы полевые импортные
IRF6785MTR1PBF,Nкан 200В 3.4А/19А DirectFET MZ
Infineon
53 ₽
ЧипСити
Россия
IRF6785MTR1PBF
Infineon
153 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRF6785MTR1PBF
Infineon
196 ₽
Akcel
Весь мир
IRF6785MTR1PBF
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MZ

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 19 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 85 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Рассеиваемая мощность: 57 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: DirectFET
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 2.7 А
  • Тип корпуса: MZ
  • Pulse Current Idm: 27 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 200 В
  • Voltage Vgs Max: 200 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF6785MTR1PBF - International Rectifier MOSFET, N, DIRECTFET MZ

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России