Datasheet IRF6785MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET MZ — Даташит
Наименование модели: IRF6785MTR1PBF
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 200V 3.4A | |||
IRF6785MTR1PBF Infineon | 80 ₽ | ||
IRF6785MTR1PBF Infineon | 164 ₽ | ||
IRF6785MTR1PBF,Nкан 200В 3.4А/19А DirectFET MZ | по запросу | ||
IRF6785MTR1PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET MZ
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 19 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 85 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Рассеиваемая мощность: 57 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: DirectFET
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 2.7 А
- Тип корпуса: MZ
- Pulse Current Idm: 27 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Max: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: есть