Datasheet IRF6795MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 25 В, DIRECTFETMX — Даташит
Наименование модели: IRF6795MTR1PBF
![]() 19 предложений от 14 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
IRF6795MTR1PBF Infineon | от 182 ₽ | ||
IRF6795MTR1PBF | по запросу | ||
IRF6795MTR1PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRF6795MTR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 25 В, DIRECTFETMX
Краткое содержание документа:
PD - 97321
HEXFET® Power MOSFET plus Schottky Diode
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode 25V max ±20V max 1.4m@ 10V 2.4m@ 4.5V l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ultra Low Package Inductance 35nC 10nC 4.8nC 34nC 27nC 1.8V l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Sync.
FET socket of Sync. Buck Converter l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques l 100% Rg tested DirectFET ISOMETRIC MX Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)
l
IRF6795MPbF IRF6795MTRPbF
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 32 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 1.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: MX
- Количество выводов: 5
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Альтернативный тип корпуса: DirectFET
- Current Id Max: 32 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 250 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть