Datasheet IRF6797MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 25 В, DIRECTFETMX — Даташит
Наименование модели: IRF6797MTR1PBF
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 25V 36A | |||
IRF6797MTR1PBF International Rectifier | 172 ₽ | ||
IRF6797MTR1PBF,Nкан 25В 36А/210А DirectFET MX | по запросу | ||
IRF6797MTR1PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRF6797MTR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 25 В, DIRECTFETMX
Краткое содержание документа:
PD - 97320
HEXFET® Power MOSFET plus Schottky Diode
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode 25V max ±20V max 1.1m@ 10V 1.8m@ 4.5V l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ultra Low Package Inductance 45nC 13nC 6.2nC 38nC 38nC 1.8V l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Sync.
FET socket of Sync. Buck Converter l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques l 100% Rg tested DirectFET ISOMETRIC MX Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)
l
IRF6797MPbF IRF6797MTRPbF
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 36 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 1.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
- Корпус транзистора: MX
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: DirectFET
- Current Id Max: 36 А
- Тип корпуса: MX
- Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
- Pulse Current Idm: 300 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть