Datasheet IRF7201PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7201PBF
Купить IRF7201PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.65 до 45 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC | |||
IRF7201PBF Infineon | 8.65 ₽ | ||
IRF7201PBF International Rectifier | 13 ₽ | ||
IRF7201PBF Infineon | от 22 ₽ | ||
IRF7201PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD- 95022
IRF7201PbF
l l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free
HEXFET®
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 7.3 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 58 А
- SMD Marking: F7201
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01