Datasheet IRF7317PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7317PBF
![]() 24 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 6,6/-5,3А; 2Вт; SO8 | |||
IRF7317PBF Rochester Electronics | от 19 ₽ | ||
IRF7317PBF International Rectifier | от 125 ₽ | ||
IRF7317PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRF7317-PBF& | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95296
IRF7317PbF
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel MOSFET l Surface Mount l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description
l l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Cont Current Id N Channel 2: 6.6 А
- Cont Current Id P Channel: 5.3 А
- Current Id Max: 6.6 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- On State Resistance N Channel Max: 29 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 58 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 26 А
- Pulse Current Idm N Channel 2: 26 А
- Pulse Current Idm P Channel: 21 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F7317
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01