Datasheet IRF7779L2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 150 В, 67 А, DIRECTFET L8 — Даташит

Купить IRF7779L2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 325 до 7 278 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, MOSFET 150V 67A 11mOhm 97NC Qg
ЧипСити Россия	IRF7779L2TR1PBF International Rectifier	325 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF7779L2TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF7779L2TR1PBF,Nкан 150В 11А/67А DirectFET L8	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7779L2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 150 В, 67 А, DIRECTFET L8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IRF7779L2TRPbF IRF7779L2TR1PbF
RoHS Compliant, Halogen Free l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques l Industrial Qualified
l
PD - 97435
DirectFET Power MOSFET

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Current Id Max: 67 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On Resistance Rds(on): 9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Количество выводов: 5
• Корпус транзистора: DirectFET
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)