Datasheet IRF7799L2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 35 А, DIRECTFET L8 — Даташит
Наименование модели: IRF7799L2TR1PBF
![]() 18 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IRF7799L2TR1PBF International Rectifier | 250 ₽ | ||
IRF7799L2TR1PBF Infineon | 318 ₽ | ||
IRF7799L2TR1PBF, Nкан 250В 35А DirectFET L8 EPCOS | по запросу | ||
IRF7799L2TR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 35 А, DIRECTFET L8
Краткое содержание документа:
PD - 96266
IRF7799L2TRPbF IRF7799L2TR1PbF
RoHS Compliant, Halogen Free l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques l Industrial Qualified
l
Typical values (unless otherwise specified)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 6.6 А
- Current Id Max: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On Resistance Rds(on): 32 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: DirectFET
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)