Datasheet IRFB3306PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: IRFB3306PBF
![]() 48 предложений от 21 поставщиков MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:160A; Resistance, Rds On:0.0042ohm; Voltage, Vgs Rds on... | |||
IRFB3306PBF Infineon | от 22 ₽ | ||
IRFB3306PBF Infineon | от 216 ₽ | ||
MOSFET транзистор IRFB3306PBF International Rectifier | 230 ₽ | ||
IRFB3306PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, TO-220AB
Краткое содержание документа:
PD - 97098B
IRFB3306PbF IRFS3306PbF IRFSL3306PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 160 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 4.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Семейство: 3306
- Current Id Max: 120 А
- N-channel Gate Charge: 85nC
- Тип корпуса: TO-220AB
- Power Dissipation Pd: 230 Вт
- Pulse Current Idm: 620 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Multicomp - MK3306