Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IRFH3707TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, PQFN33 — Даташит

International Rectifier IRFH3707TR2PBF

Наименование модели: IRFH3707TR2PBF

14 предложений от 12 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN / N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
ChipWorker
Весь мир
IRFH3707TR2PBF
Infineon
44 ₽
Триема
Россия
IRFH3707TR2PBF-VB
142 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IRFH3707TR2PBF
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IRFH3707TR2PBF
Infineon
по запросу
Решения для систем охлаждения

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, PQFN33

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96227B
IRFH3707PbF
Applications
l l l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Current Id Max: 29 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 9.4 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Влагостойкость: MSL 2 - 1 year
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PQFN
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRFH3707TR2PBF - International Rectifier MOSFET, N CH, 30 V, 12 A, PQFN33

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка