Datasheet IRFH3707TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, PQFN33 — Даташит
Наименование модели: IRFH3707TR2PBF
![]() 14 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN / N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3) | |||
IRFH3707TR2PBF Infineon | 44 ₽ | ||
IRFH3707TR2PBF International Rectifier | 49 ₽ | ||
IRFH3707TR2PBF | от 72 ₽ | ||
IRFH3707TR2PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, PQFN33
Краткое содержание документа:
PD - 96227B
IRFH3707PbF
Applications
l l l l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Current Id Max: 29 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 9.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Влагостойкость: MSL 2 - 1 year
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PQFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)