Datasheet IRFH5015TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 150 В, 56 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH5015TR2PBF
![]() 14 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN / N-Channel 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) | |||
IRFH5015TR2PBF Infineon | 132 ₽ | ||
IRFH5015TR2PBF International Rectifier | 187 ₽ | ||
IRFH5015TR2PBF International Rectifier | 200 ₽ | ||
IRFH5015TR2PBF Infineon | от 290 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 150 В, 56 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD - 97446
IRFH5015PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Current Id Max: 56 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 25.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PQFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)