Datasheet IRFH5020TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 200 В, 41 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH5020TR2PBF
![]() 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, PQFN N-CH 200V 5.1A | |||
IRFH5020TR2PBF International Rectifier | 99 ₽ | ||
IRFH5020TR2PBF Infineon | 160 ₽ | ||
IRFH5020TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5020TR2PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 200 В, 41 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD -97428
IRFH5020PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
200 55 36 1.9 43
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 5.1 А
- Current Id Max: 43 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 47 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PQFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 8.3 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)