Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRFH5025TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 250 В, 32 А, PQFN56 — Даташит

International Rectifier IRFH5025TR2PBF

Наименование модели: IRFH5025TR2PBF

11 предложений от 11 поставщиков
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN / N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Lixinc Electronics
Весь мир
IRFH5025TR2PBF
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IRFH5025TR2PBF
Infineon
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRFH5025TR2PBF
Infineon
по запросу
IRFH5025TR2PBF
International Rectifier
по запросу
Энергия без перебоев: источники питания MEAN WELL на DIN-рейку

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 250 В, 32 А, PQFN56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97538
IRFH5025PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
250 100 37 1.6 32

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 32 А
  • Current Id Max: 32 А
  • Drain Source Voltage Vds: 250 В
  • On Resistance Rds(on): 0.084 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: QFN
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 3.6 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRFH5025TR2PBF - International Rectifier MOSFET, N CH, W DIO, 250 V, 32 A, PQFN56

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка