Datasheet IRFH5025TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 250 В, 32 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH5025TR2PBF
![]() 11 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN / N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6) | |||
IRFH5025TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5025TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5025TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5025TR2PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт DIO, 250 В, 32 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD -97538
IRFH5025PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
250 100 37 1.6 32
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 32 А
- Current Id Max: 32 А
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On Resistance Rds(on): 0.084 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: QFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 3.6 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)