Datasheet IRFH5110TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 11 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH5110TR2PBF
![]() 13 предложений от 11 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IRFH5110TR2PBF Infineon | 125 ₽ | ||
IRFH5110TR2PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFH5110TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5110TR2PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 11 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD -96294
IRFH5110PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Current Id Max: 63 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 10.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: QFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 114 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)