Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56 — Даташит

International Rectifier IRFH5220TR2PBF

Наименование модели: IRFH5220TR2PBF

9 предложений от 9 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 8Pin PQFN EP T/R
ЧипСити
Россия
IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
88 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
93 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRFH5220TR2PBF
по запросу
IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97615
IRFH5220PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
200 99.9 20 2.3 20

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IR2101PBF

На английском языке: Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier MOSFET, W DIO, N CH, 200 V, 3.8 A, PQFN56

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России