Datasheet IRLML6302PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-23 — Даташит

Купить IRLML6302PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 31 ₽ 16 предложений от 8 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.78A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, LEAD FREE, MICRO-3
Зенер Россия и страны ТС	IRLML6302PBF	от 17 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IRLML6302PBF Infineon	от 22 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRLML6302PBF Infineon	по запросу	Купить
Acme Chip Весь мир	IRLML6302PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94947B
IRLML6302PbF
l l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 600 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -780 мА
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: IRLML6302
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 400 мВт
• Pulse Current Idm: 34 А
• SMD Marking: 1C
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -1.4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRLML6302TRPBF
• Roth Elektronik - RE901