Datasheet IRLML6401PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, -12 В, -4.3 А, MICRO 3 — Даташит

Купить IRLML6401PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 4.87 до 17 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
T-electron Россия и страны СНГ	IRLML6401PBF Hottech	4.87 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRLML6401PBF Infineon	от 15 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRLML6401PBF International Rectifier	17 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRLML6401PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, -12 В, -4.3 А, MICRO 3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94891B
IRLML6401PbF
l l l l l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching 1.8V Gate Rated Lead-Free Halogen-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 50 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -4.3 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 100°C/W
• On State resistance @ Vgs = 10V: 50 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
• Pulse Current Idm: 34 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -550 мВ
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Min: -0.4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRLML6401TRPBF
• Roth Elektronik - RE901