Datasheet IRLML6402PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 3.7 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: IRLML6402PBF
![]() 13 предложений от 11 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IRLML6402PBF Infineon | от 60 ₽ | ||
IRLML6402PBF Infineon | 96 ₽ | ||
IRLML6402PBF Molex | по запросу | ||
IRLML6402PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 3.7 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
PD - 95060B
IRLML6402PbF
l l l l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching Lead-Free Halogen-Free
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -550 мВ
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 11mJ
- Capacitance Ciss Typ: 633 пФ
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 11nC
- Current Id Max: -3.7 А
- Current Idss Max: 1 мкА
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: IRLML6402
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Fall Time tf: 381 с
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- P Channel Gate Charge: 12nC
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- Pulse Current Idm: 22 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 29 нс
- Rise Time: 48 нс
- SMD Marking: 1E
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -550 мВ
- Voltage Vds Typ: -20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901