Datasheet IRF7707PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, TSSOP-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7707PBF
HEXFET?® Power MOSFET | |||
IRF7707PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, TSSOP-8
Краткое содержание документа:
PD-96024A
IRF7707PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (< 1.2mm) Available in Tape & Reel Lead-Free
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 14.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -1.2 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TSSOP
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -7 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 33 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 22 МОм
- P Channel Gate Charge: 31nC
- Тип корпуса: TSSOP
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
- Pulse Current Idm: 28 А
- SMD Marking: 7707
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.2 В
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: -1.2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE933-01