Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet IRFH5302DTR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, PQFN56 — Даташит

International Rectifier IRFH5302DTR2PBF

Наименование модели: IRFH5302DTR2PBF

9 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with an integrated Schottky Diode in a 5mm X 6mm PQFN package
Maybo
Весь мир
IRFH5302DTR2PBF
Infineon
413 ₽
Augswan
Весь мир
IRFH5302DTR2PBF
Infineon
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IRFH5302DTR2PBF
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
IRFH5302DTR2PBF
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, PQFN56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97454A
IRFH5302DPbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 104 Вт

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRFH5302DTR2PBF - International Rectifier MOSFET, N CH, 30 V, 100 A, PQFN56

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка