Datasheet IRFH5302DTR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH5302DTR2PBF
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with an integrated Schottky Diode in a 5mm X 6mm PQFN package | |||
IRFH5302DTR2PBF Infineon | 413 ₽ | ||
IRFH5302DTR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5302DTR2PBF | по запросу | ||
IRFH5302DTR2PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD - 97454A
IRFH5302DPbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PQFN
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 104 Вт
RoHS: есть