Datasheet IRFH7932TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, PQFN — Даташит
Наименование модели: IRFH7932TRPBF
![]() 36 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, HEXFET®, N Канал, 30 В, 25 А, 0.0025 Ом, QFN, Surface Mount | |||
IRFH7932TRPBF Infineon | от 83 ₽ | ||
IRFH7932TRPBF International Rectifier | 88 ₽ | ||
IRFH7932TRPBF Infineon | от 130 ₽ | ||
IRFH7932TRPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, PQFN
Краткое содержание документа:
PD - 96140
IRFH7932PbF
Applications
l l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 3.4 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PQFN
- Количество выводов: 8
- Влагостойкость: MSL 2 - 1 year
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 25 А
- Тип корпуса: PQFN
- Pulse Current Idm: 200 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
RoHS: есть