Datasheet IRFS3006-7PPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, D2PAK — Даташит
Наименование модели: IRFS3006-7PPBF
![]() 19 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 293A 7Pin(6+Tab) D2PAK Tube | |||
IRFS3006-7PPBF Infineon | от 53 ₽ | ||
IRFS3006-7PPBF Infineon | 1 280 ₽ | ||
IRFS30067PPBF | по запросу | ||
IRFS3006-7PPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, D2PAK
Краткое содержание документа:
PD - 96187
IRFS3006-7PPbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 293 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 1.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 7
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 8850 пФ
- Current Id Max: 293 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 375 Вт
- Pulse Current Idm: 1172 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 44 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
IRFS30067PPBF, IRFS3006 7PPBF