Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRLB3813PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор N CH 30 В 190 А TO220 — Даташит

International Rectifier IRLB3813PBF

Наименование модели: IRLB3813PBF

43 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 260 А, 0.0016 Ом, TO-220AB, Through Hole
IRLB3813PBF
Infineon
35 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
IRLB3813PBF
Infineon
61 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
IRLB3813PBF
Infineon
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IRLB3813PBF
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор N CH 30 В 190 А TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97407
IRLB3813PbF
Applications
l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 260 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1.6 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 1.9 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Cont Current Id @ 100В°C: 190 А
  • Cont Current Id @ 25В°C: 260 А
  • Current Id Max: 260 А
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Power Dissipation Pd: 230 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRLB3813PBF - International Rectifier MOSFET N CH 30 V 190 A TO220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России