Datasheet IRLML2502PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: IRLML2502PBF
IRLML2502PBF Infineon | 17 ₽ | ||
IRLML2502PBF Infineon | 17 ₽ | ||
IRLML2502PBF | по запросу | ||
IRLML2502PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
PD - 94892C
IRLML2502PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching Lead-Free Halogen-Free
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 1.2 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 740 пФ
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 8.6nC
- Current Id Max: 4.2 А
- Current Idss Max: 1 мкА
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: IRLML2502PBF
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Fall Time tf: 26 с
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 12nC
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 33 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 16 нс
- Rise Time: 10 нс
- SMD Marking: 1 г
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901