Datasheet IRLMS1902PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6 — Даташит

Купить IRLMS1902PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 28 ₽ Труба MOS, TSOP N-CH 20V 3.2A
ChipWorker Весь мир	IRLMS1902PBF Infineon	13 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRLMS1902PBF Infineon	27 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRLMS1902PBF Infineon	28 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 91540C
IRLMS1902
HEXFET® Power MOSFET
l l l l
Generation V Technology Micro6 Package Style Ultra Low RDS(on) N-Channel MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 300 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 37nC
• Current Id Max: 3.2 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 3.00 мм
• Внешняя длина / высота: 1.45 мм
• Внешняя ширина: 3.00 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 4.7nC
• Тип корпуса: Micro6
• Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Reverse Recovery Time trr Typ: 40 нс
• SMD Marking: 2 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 700 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Panasonic - EYGA121807A