Datasheet IRLMS2002PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6 — Даташит

Купить IRLMS2002PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 62 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Compliant Reverse 3 mm Cut Tape No SVHC 45 mΩ 1.2 V 6
ЧипСити Россия	IRLMS2002PBF International Rectifier	58 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRLMS2002PBF International Rectifier	62 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRLMS2002PBF Infineon	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IRLMS2002PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95675
IRLMS2002PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 2.5V Rated Lead-Free

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 1310 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 15nC
• Current Id Max: 6.5 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 3.00 мм
• Внешняя длина / высота: 1.45 мм
• Внешняя ширина: 3.00 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 15nC
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 45 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 30 МОм
• Тип корпуса: Micro6
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 11 нс
• SMD Marking: 2 г
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.2 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Panasonic - EYGA121807A