Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IRLR8259PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH 25 В 57 А DPAK — Даташит

International Rectifier IRLR8259PBF

Наименование модели: IRLR8259PBF

14 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube
AiPCBA
Весь мир
IRLR8259PBF
International Rectifier
22 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IRLR8259PBF
Rochester Electronics
от 25 ₽
Триема
Россия
IRLR8259PBF
Infineon
27 ₽
Augswan
Весь мир
IRLR8259PBF
Infineon
по запросу
Решения для систем охлаждения

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH 25 В 57 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97360
Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l Lead-Free l RoHS compliant
IRLR8259PbF IRLU8259PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDSS

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 21 А
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • On Resistance Rds(on): 8.7 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 57 А
  • Тип корпуса: D-PAK
  • Power Dissipation Pd: 48 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 25 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.35 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRLR8259PBF - International Rectifier MOSFET, N-CH 25 V 57 A DPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка