Datasheet IRLR8259PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH 25 В 57 А DPAK — Даташит
Наименование модели: IRLR8259PBF
![]() 14 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube | |||
IRLR8259PBF International Rectifier | 22 ₽ | ||
IRLR8259PBF Rochester Electronics | от 25 ₽ | ||
IRLR8259PBF Infineon | 27 ₽ | ||
IRLR8259PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH 25 В 57 А DPAK
Краткое содержание документа:
PD - 97360
Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l Lead-Free l RoHS compliant
IRLR8259PbF IRLU8259PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDSS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 8.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 57 А
- Тип корпуса: D-PAK
- Power Dissipation Pd: 48 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
RoHS: есть