Datasheet IRLR8729PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH 30 В 58 А DPAK — Даташит
Наименование модели: IRLR8729PBF
![]() 17 предложений от 15 поставщиков MOSFET транзистор: N-канал, 30 В, 58 А Тип канала : N Максимальное рабочее напряжение В: 30 Rdson макс. при Vg 1... | |||
MOSFET транзистор IRLR8729PBF International Rectifier | 53 ₽ | ||
IRLR8729PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRLR8729PBF_09 International Rectifier | по запросу | ||
IRLR8729PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH 30 В 58 А DPAK
Краткое содержание документа:
PD - 97352B
IRLR8729PbF IRLU8729PbF
Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l Lead-Free l RoHS compliant
HEXFET® Power MOSFET
VDSS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 58 А
- Тип корпуса: D-PAK
- Power Dissipation Pd: 55 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
RoHS: есть