Datasheet IRF6610TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, SQ — Даташит

International Rectifier IRF6610TR1PBF

Наименование модели: IRF6610TR1PBF

Купить IRF6610TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 3 357 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Akcel Весь мир	IRF6610TR1PBF Infineon	от 91 ₽
Utmel Весь мир	IRF6610TR1PBF Infineon	от 93 ₽
ЧипСити Россия	IRF6610TR1PBF Infineon	152 ₽
ChipWorker Весь мир	IRF6610TR1PBF Infineon	162 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, SQ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97220
DirectFETTM Power MOSFET
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
Typical values (unless otherwise specified)
IRF6610PbF IRF6610TRPbF

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 15 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 5.2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 2.1 В
Корпус транзистора: SQ
Количество выводов: 5
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Семейство: 6610
Current Id Max: 12 А
Тип корпуса: SQ
Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
Pulse Current Idm: 120 А
SMD Marking: 2.2
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds: 20 В
Voltage Vds Typ: 20 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 2.55 В
Voltage Vgs th Min: 1.65 В

RoHS: есть