Datasheet IRF6611TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX — Даташит

Купить IRF6611TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 138 до 4 528 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 32A
AiPCBA Весь мир	IRF6611TR1PBF Infineon	147 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF6611TR1PBF,Nкан 30В 32А/150А DirectFET MX International Rectifier	4 528 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6611TR1PBF	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6611TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97216
IRF6611PbF IRF6611TRPbF
RoHs Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.25 В
• Корпус транзистора: MX
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6611
• Current Id Max: 22 А
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 3.9 мВт
• Pulse Current Idm: 220 А
• SMD Marking: 3.9
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.25 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть