Datasheet IRF6620TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MX — Даташит

Купить IRF6620TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 83 до 4 043 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 20V 27A
AiPCBA Весь мир	IRF6620TR1PBF Infineon	133 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6620TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	IRF6620TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6620TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97092
IRF6620PbF IRF6620TRPbF
l l l l l l l l l
RoHS Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 27 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 2.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.45 В
• Корпус транзистора: MX
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6620
• Current Id Max: 22 А
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
• Pulse Current Idm: 220 А
• SMD Marking: 2.8
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.55 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.45 В
• Voltage Vgs th Min: 1.55 В

RoHS: есть