Datasheet IRF6623TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, ST — Даташит

Купить IRF6623TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 101 до 3 234 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
ЧипСити Россия	IRF6623TR1PBF Infineon	101 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF6623TR1PBF International Rectifier	от 403 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF6623TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6623TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97085
IRF6623PbF IRF6623TRPbF
l l l l l l l l l
RoHS Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 5.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.2 В
• Корпус транзистора: ST
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6623
• Current Id Max: 13 А
• Тип корпуса: ST
• Power Dissipation Pd: 1.4 мВт
• Pulse Current Idm: 120 А
• SMD Marking: 1.4
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.2 В
• Voltage Vgs th Min: 1.4 В

RoHS: есть