Datasheet IRF6626TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, ST — Даташит

Купить IRF6626TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 119 до 143 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 7Pin Direct-FET ST T/R
AllElco Electronics Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6626TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97218
IRF6626PbF IRF6626TRPbF
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.35 В
• Корпус транзистора: ST
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6626
• Current Id Max: 13 А
• Тип корпуса: ST
• Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
• Pulse Current Idm: 130 А
• SMD Marking: 2.2
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть