Datasheet IRF6626TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, ST — Даташит

Купить IRF6626TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 123 до 3 962 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 7Pin Direct-FET ST T/R
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6626TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97218
IRF6626PbF IRF6626TRPbF
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.35 В
• Корпус транзистора: ST
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6626
• Current Id Max: 13 А
• Тип корпуса: ST
• Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
• Pulse Current Idm: 130 А
• SMD Marking: 2.2
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть