Datasheet IRF6633TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MP — Даташит

Купить IRF6633TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 129 до 442 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Single N-Channel 20V 2.3W 11NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric MP
ЧипСити Россия	IRF6633TR1PBF Infineon	162 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRF6633TR1PBF Infineon	442 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6633TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6633TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97083
DirectFET Power MOSFET
RoHS Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses and Switching Losses l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
IRF6633PbF IRF6633TRPbF

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 4.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6633
• Current Id Max: 13 А
• Тип корпуса: MP
• Power Dissipation Pd: 2.3 мВт
• Pulse Current Idm: 132 А
• SMD Marking: 2.3
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.2 В
• Voltage Vgs th Min: 1.4 В

RoHS: есть