Datasheet IRF6637TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MP — Даташит

Купить IRF6637TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 1 865 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
ЧипСити Россия	IRF6637TR1PBF Infineon	110 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRF6637TR1PBF Infineon	111 ₽	Купить
Элитан Россия	IRF6637TR1PBF-2 Infineon	1 865 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6637TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97088
DirectFET Power MOSFET
RoHS Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses and Switching Losses l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
IRF6637PbF IRF6637TRPbF

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 5.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6637
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: MP
• Power Dissipation Pd: 2.3 мВт
• Pulse Current Idm: 110 А
• SMD Marking: 2.3
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть