Datasheet IRF6729MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 31 А, DIRECTFET MX — Даташит

Купить IRF6729MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 151 до 185 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 31A
ChipWorker Весь мир	IRF6729MTR1PBF Infineon	151 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6729MTR1PBF Infineon	185 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6729MTR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6729MTR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 31 А, DIRECTFET MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96229
HEXFET® Power MOSFET plus Schottky Diode
RoHs Compliant and Halogen-Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode 30V max ±20V max 1.4m@ 10V 2.2m@ 4.5V l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ultra Low Package Inductance 42nC 14nC 4.9nC 40nC 29nC 1.8V l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Sync.

FET socket of Sync. Buck Converter l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques l 100% Rg tested DirectFET ISOMETRIC MX Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)
l
IRF6729MPbF IRF6729MTRPbF

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 190 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.0014 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Рассеиваемая мощность: 104 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - AUIRS2004S
• International Rectifier - AUIRS2117S