Datasheet IRFHM830TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 21 А, PQFN33 — Даташит
Наименование модели: IRFHM830TRPBF
![]() 38 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 40 А, 0.003 Ом, QFN, Surface Mount | |||
IRFHM830TRPBF Infineon | 16 ₽ | ||
IRFHM830TRPBF Infineon | от 88 ₽ | ||
IRFHM830TRPBF Infineon | 120 ₽ | ||
IRFHM830TRPBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 21 А, PQFN33
Краткое содержание документа:
PD - 97547A
IRFHM830PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 2.7 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: QFN
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 21 А
- Voltage Vgs Max: 20 В
RoHS: есть