Datasheet IRF6621TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, SQ — Даташит

Купить IRF6621TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 375 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 6-Pin Direct-FET SQ T/R / MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
ChipWorker Весь мир	IRF6621TR1 Infineon	32 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6621TR1PBF Infineon	108 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6621TR1 Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6621TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, SQ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97005A
IRF6621
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 7 МОм
• Корпус транзистора: SQ
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 1460 пФ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: SQ
• Power Dissipation Pd: 2.2 Вт
• Pulse Current Idm: 96 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 9.8 нс
• SMD Marking: 6621
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7