Datasheet IRF6623TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95824C
IRF6623
l l l l l l l
Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with Existing Surface Mount Techniques
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 55 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 5.7 МОм
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: ST
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 1360 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 12nC
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 4.85 мм
• Внешняя длина / высота: 0.7 мм
• Внешняя ширина: 3.95 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• IC Package (Case style): ST
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 5.7 МОм
• Тип корпуса: ST
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Pulse Current Idm: 120 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 20 нс
• SMD Marking: 6623
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В
• Voltage Vgs th Min: 1.3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRF6623TR1PBF
• LICEFA - V11-7