Datasheet IRF6633TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MP — Даташит
Наименование модели: IRF6633TR1
![]() 14 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Single N-Channel 20V 2.3W 11NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric MP | |||
IRF6633TR1PBF Infineon | 172 ₽ | ||
IRF6633TR1PBF Infineon | по запросу | ||
IRF6633TR1 International Rectifier | по запросу | ||
IRF6633TR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MP
Краткое содержание документа:
PD - 96989B
IRF6633
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for both Sync.FET and some Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 4.1 МОм
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 1250 пФ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MP
- Power Dissipation Pd: 2.3 Вт
- Pulse Current Idm: 132 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 18 нс
- SMD Marking: 6633
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7