Datasheet IRF6635TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит

Купить IRF6635TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 593 ₽ 17 предложений от 12 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Контест Россия	IRF6635TR1	326 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF6635TR1PBF International Rectifier	от 593 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF6635TR1 International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6635TR1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96981F
IRF6635
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHs compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (<0.7 mm) 30V max ±20V max 1.3m@ 10V 1.8m@ 4.5V Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ultra Low Package Inductance 47nC 17nC 4.7nC 48nC 29nC 1.8V Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for SyncFET socket of Sync.

Buck Converter Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques MX

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 25 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
• Корпус транзистора: MX
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 5970 пФ
• Current Id Max: 32 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 250 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 20 нс
• SMD Marking: 6635
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7