Datasheet IRF6678TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит

Купить IRF6678TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 80 до 832 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков Single N-Channel 30V 2.8W 43NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric MX
AiPCBA Весь мир	IRF6678TR1PBF International Rectifier	245 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6678TR1PBF	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF6678TR1 International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6678TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96979F
IRF6678
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHS compliant containing no lead or bormide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (<0.7 mm) 30V max ±20V max 1.7m@ 10V 2.3m@ 4.5V Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ultra Low Package Inductance 43nC 15nC 4.0nC 46nC 28nC 1.8V Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for for SyncFET Socket of Sync.

Buck Converter Low Conduction and Switching Losses Compatible with Existing Surface Mount Techniques MX

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.7 МОм
• Корпус транзистора: MX
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 5640 пФ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 240 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 43 нс
• SMD Marking: 6678
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.25 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7